使用半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀的方法

發(fā)布時(shí)間： 2017-07-20　　點(diǎn)擊次數(shù)： 695次

半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀
一、產(chǎn)品特點(diǎn)：
測(cè)試品種覆蓋面廣、測(cè)試精度高、電參數(shù)測(cè)試全、速度快、有良好的重復(fù)性和一致性、工作穩(wěn)定可靠，具有保護(hù)系統(tǒng)和被測(cè)器件的能力。測(cè)試儀由計(jì)算機(jī)操控，測(cè)試數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)打印。除具有點(diǎn)測(cè)試功能外，還具有曲線掃描功能（圖示儀功能）。系統(tǒng)軟件功能全、使用靈活方便、操作簡(jiǎn)單。系統(tǒng)軟件穩(wěn)定可靠、硬件故障率低，在實(shí)際測(cè)試應(yīng)用中各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)均可達(dá)到器件手冊(cè)技術(shù)指標(biāo)及國(guó)標(biāo)要求。
二、測(cè)試參數(shù)
1．二管
VF、IR、BVR
2．穩(wěn)壓（齊納）二管
VF、IR、BV Z
3．晶體管 Transistor（NPN型/PNP型）
VBE、ICBO、 LCEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT 、VBEON
4．可控硅整流器（晶閘管）
IGT、VGT、 IH、IL 、VTM
5．場(chǎng)效應(yīng)管
IGESF、IGSSF、 IGSSR、IGSS、VDSON、RDSON、VGSTH、IDSS、IDON 、gFS、 BVDGO、BVGSS

6．光電耦合器
VF 、IR、CTR、ICEO、BVCEO、VCESAT
*7．三端穩(wěn)壓器
VO、SV、ID、IDV

三、測(cè)試參數(shù)范圍

晶體管

測(cè)試參數(shù)	測(cè)試范圍
I_CEO I_CBO I_EBO	1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA
V_CE(sat) V_BE(sat)	0.10V-30V
V_BE(V_BE(on))	0.10V-30V
h_FE	1－99999
V_(BR)EBO	0.10V-30V
V_(BR)CEO V_(BR)CBO	0. 10V-50V 50V-1499V

二管

測(cè)試參數(shù)	測(cè)試范圍
I_R	1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA
V_F	0.10V-30V
V_(BR)	1V-50V
	50V-1499V

穩(wěn)壓二管

測(cè)試參數(shù)	測(cè)試范圍
I_R	1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA
V_F	0.10V-30V
V_Z	0.10V-50V

三端穩(wěn)壓器

測(cè)試參數(shù)	測(cè)試范圍
V_O	0.10V-30V
S_V	0.10mV-1V
I_D	1uA-10mA
I_DV	1uA-10mA

MOSFET

測(cè)試參數(shù)	測(cè)試范圍
V_GS(th)	0.10V-30V
g_fs	0.1mS-1000S
R_DS(on)	10mΩ-100KΩ
V_DS(on)	0.10V-50V
I_GSS	1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA
I_DSS	1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA
I_D(on)	0-50A
V_(BR)GSS	0.1V-30V
V_(BR)DSS	0.1V-1499V

光耦

測(cè)試參數(shù)	測(cè)試范圍
V_F	0.10V-30V
I_R	1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA
V_CE(sat)	0.10V-50V
CTR	0.1%-1000%
I_CEO	與I_R參數(shù)相同
V_(BR)ECO V_(BR)CEO	0.10V-50V 50V-1499V

可控硅

測(cè)試參數(shù)	測(cè)試范圍
I_GT	10uA-200mA
V_GT	0.10V-30V
I_H	10uA-1A
I_L	10uA-1A
V_TM	0.10V-50V

四、技術(shù)指標(biāo)

1、源的指標(biāo)

主壓流源 (VA)

電壓：

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